Индиум арсенид InAs

Тодорхойлолт

Индиум арсенид InAs болор нь доод тал нь 6N 7N цэвэр индиум ба хүнцлийн элементээр нийлэгжсэн III-V бүлгийн нийлмэл хагас дамжуулагч бөгөөд VGF эсвэл шингэн битүүмжлэгдсэн Czochralski (LEC) процессоор ургуулсан дан талст, саарал өнгөтэй харагдах байдал, цайрын бүтэцтэй куб талст юм. , хайлах цэг нь 942 ° C.Индиум арсенидын зурвасын завсар нь галлий арсенидтэй адил шууд шилжилт бөгөөд хориотой зурвасын өргөн нь 0.45eV (300K) юм.InAs болор нь цахилгаан параметрүүдийн жигд байдал, тогтмол сүлжээ, электронуудын хөдөлгөөн өндөр, согогийн нягтрал багатай.VGF эсвэл LEC-ээр ургуулсан цилиндр хэлбэртэй InAs болорыг хэрчиж, зүсэх, сийлбэрлэх, өнгөлөх эсвэл MBE эсвэл MOCVD эпитаксиаль өсөлтөд бэлэн болгох боломжтой.

Хэрэглээ

Индиум арсенидын болор ваффер нь танхимын хамгийн дээд хөдөлгөөнд зориулагдсан, харин нарийн энергийн зурвасын хувьд Холл төхөөрөмж, соронзон орны мэдрэгчийг хийхэд маш сайн субстрат бөгөөд өндөр хүчин чадалтай хэрэглээнд ашигладаг 1-3.8 микрон долгионы урттай хэт улаан туяаны мэдрэгчийг бүтээхэд тохиромжтой материал юм. тасалгааны температурт, түүнчлэн дунд долгионы хэт улаан туяаны супер тор лазер, дунд хэт улаан туяаны LED төхөөрөмжүүдийг 2-14 μм долгионы урттай болгох боломжтой.Цаашилбал, InAs нь нэг төрлийн бус InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb эсвэл AlGaSb супер торны бүтцийг цаашид дэмжихэд тохиромжтой субстрат юм.

Одоо лавлана уу

Дэлгэрэнгүй мэдээлэл

Шошго

Техникийн тодорхойлолт

Индиум арсенид

InAs

Индиум арсений болор ваферХолл төхөөрөмж, соронзон орны мэдрэгчийг үйлдвэрлэхэд тохиромжтой субстрат нь танхимын дээд зэргийн хөдөлгөөнтэй боловч нарийн энергийн зурвастай бөгөөд өрөөний температурт өндөр хүчин чадалтай хэрэглээнд ашигладаг 1-3.8 микрон долгионы урттай хэт улаан туяаны мэдрэгчийг бүтээхэд тохиромжтой материал юм. түүнчлэн дунд долгионы хэт улаан туяаны супер торны лазер, дунд хэт улаан туяаны LED төхөөрөмжүүдийг 2-14 μм долгионы уртад зориулж үйлдвэрлэдэг.Цаашилбал, InAs нь нэг төрлийн бус InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb эсвэл AlGaSb супер торны бүтцийг цаашид дэмжихэд тохиромжтой субстрат юм.

Үгүй	Эд зүйлс	Стандарт тодорхойлолт
1	Хэмжээ	2"	3"	4"
2	Диаметр мм	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Өсөлтийн арга	LEC	LEC	LEC
4	Дамжуулах чадвар	P-type/Zn-нээвдүүлсэн, N-type/S-aded, Un-aded
5	Баримтлал	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Зузаан мкм	500±25	600±25	800±25
7	Баримтлал Хавтгай мм	16±2	22±2	32±2
8	Таних Хавтгай мм	8±1	11±1	18±1
9	Хөдөлгөөнт байдал см2/Vs	60-300, ≥2000 эсвэл шаардлагатай бол
10	Тээвэрлэгчийн концентраци см-3	(3-80)E17 эсвэл ≤5E16
11	TTV μм хамгийн их	10	10	10
12	Нум μм хамгийн их	10	10	10
13	Буурах μм хамгийн их	15	15	15
14	Мултрах нягт см-2 макс	1000	2000	5000
15	Гадаргуугийн өнгөлгөө	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Савлах	Хөнгөн цагаан уутанд битүүмжилсэн дан өргүүртэй сав.

Шугаман томъёо	InAs
Молекулын жин	189.74
Кристал бүтэц	Цайрын хольц
Гадаад төрх	Саарал талст хатуу
Хайлах цэг	(936-942)°C
Буцлах цэг	Үгүй
Нягт 300K	5.67 г/см³
Эрчим хүчний зөрүү	0.354 эВ
Дотоод эсэргүүцэл	0.16 Ом-см
CAS дугаар	1303-11-3
EC дугаар	215-115-3

Индиум арсенид InAsWestern Minmetals (SC) корпорацын хувьд 2” 3” ба 4” (50мм, 75мм, 100мм) диаметр бүхий олон талст бөөн юм уу дан болор зүссэн, сийлсэн, өнгөлсөн эсвэл эпи-бэлэн хавтан хэлбэрээр нийлүүлэх боломжтой. p-төрөл, n-төрөл эсвэл нэмэлтгүй дамжуулалт ба <111> эсвэл <100> чиглэл.Тохируулсан техникийн үзүүлэлтүүд нь дэлхий даяарх манай үйлчлүүлэгчдэд зориулсан төгс шийдэл юм.