Индиум антимонид InSb

Тодорхойлолт

Indium Antimonide InSb, 6N 7N өндөр цэвэршилттэй индиум ба сурьмагийн элементүүдээр нийлэгжүүлж, VGF аргаар буюу Liquid Encapsulated Czochralski LEC аргаар олон бүст цэвэршүүлсэн полиотоор ургуулсан дан болорыг ургуулсан цайрын холимог торны бүтэцтэй III-V бүлгийн талст нэгдлүүдийн хагас дамжуулагч, Үүнийг хэрчиж, дараа нь вафель болон блок болгон хийж болно.InSb нь шууд шилжилтийн хагас дамжуулагч бөгөөд тасалгааны температурт 0.17eV-ийн нарийн зурвасын зөрүүтэй, 1–5μм долгионы уртад өндөр мэдрэмжтэй, танхимын хэт өндөр хөдөлгөөнтэй.Western Minmetals (SC) корпорацийн Indium Antimonide InSb n-type, p-type болон хагас тусгаарлагч дамжуулах чанарыг 1″ 2″ 3″ ба 4” (30мм, 50мм, 75мм, 100мм) диаметртэй, чиг баримжаатай < 111> эсвэл <100>, зүссэн, наасан, сийлсэн, өнгөлсөн хавтанцар гадаргуутай.Нэмэлт ороогүй n-төрөлтэй Dia.50-80мм-ийн Indium Antimonide InSb зорилтот мөн боломжтой.Үүний зэрэгцээ жигд бус бөөгнөрөлтэй, эсвэл хоосон (15-40) х (40-80) мм, D30-80 мм дугуй баар бүхий олон талст индий антимонид InSb (олон талст InSb) нь хүсэлтийн дагуу төгс шийдэлд нийцдэг.

Өргөдөл

Indium Antimonide InSb нь дулааны дүрслэлийн дэвшилтэт шийдэл, FLIR систем, танхимын элемент ба соронзон эсэргүүцлийн эффектийн элемент, хэт улаан туяаны чиглүүлэгч пуужингийн чиглүүлэгч систем, өндөр мэдрэмжтэй хэт улаан туяаны фото илрүүлэгч мэдрэгч зэрэг орчин үеийн олон эд анги, төхөөрөмжийг үйлдвэрлэхэд тохиромжтой субстрат юм. , өндөр нарийвчлалтай соронзон болон эргэлтийн эсэргүүцлийн мэдрэгч, фокусын хавтгай массив, мөн терагерц цацрагийн эх үүсвэр болгон зохицсон, хэт улаан туяаны одон орны сансрын дуран гэх мэт.

Одоо лавлана уу

Дэлгэрэнгүй мэдээлэл

Шошго

Техникийн тодорхойлолт

Индиум антимонид

InSb

Индиум антимонидын субстрат(InSb субстрат, InSb вафер) Western Minmetals (SC) корпорацын n-type эсвэл p-type нь 1" 2" 3" ба 4" (30, 50, 75 ба 100мм) диаметртэй, чиг баримжаа <111> эсвэл <100> хэмжээтэй, мөн санал болгож болно. наасан, сийлсэн, өнгөлсөн өнгөлгөөтэй вафель гадаргуутай.Индиум антимонид дан болор бар (InSb монокристал бар) мөн хүсэлтээр нийлүүлж болно.

Индиум антимонидPОликристал (InSb Polycrystalline, эсвэл multicrystal InSb) жигд бус бөөгнөрөл буюу хоосон (15-40)x(40-80)мм-ийг мөн хүсэлтийн дагуу төгс шийдэл болгон тохируулна.

Үүний зэрэгцээ нэмэлт бодисгүй n-төрөлтэй 50-80 мм диаметртэй Indium Antimonide Target (InSb Target) боломжтой.

Үгүй	Эд зүйлс	Стандарт тодорхойлолт
1	Индиум антимонидын субстрат	2"	3"	4"
2	Диаметр мм	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Өсөлтийн арга	LEC	LEC	LEC
4	Дамжуулах чадвар	P-type/Zn,Ge-ийн хольцтой, N-type/Te-aded, Un-aded
5	Баримтлал	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Зузаан мкм	500±25	600±25	800±25
7	Баримтлал Хавтгай мм	16±2	22±1	32.5±1
8	Таних Хавтгай мм	8±1	11±1	18±1
9	Хөдөлгөөнт байдал см2/Vs	1-7E5 Нэмэлтгүй， 3E5-2E4 N/Te-дэвшигдсэн, 8-0.6E3 эсвэл ≤8E13 P/Ge
10	Тээвэрлэгчийн концентраци см-3	6E13-3E14 Нэмэлтгүй, 3E14-2E18 N/Te-дэвдмэл, 1E14-9E17 эсвэл <1E14 P/Ge
11	TTV μм хамгийн их	15	15	15
12	Нум μм хамгийн их	15	15	15
13	Буурах μм хамгийн их	20	20	20
14	Мултрах нягт см-2 макс	50	50	50
15	Гадаргуугийн өнгөлгөө	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Савлах	Хөнгөн цагаан уутанд битүүмжилсэн дан өргүүртэй сав.

Үгүй	Эд зүйлс	Стандарт тодорхойлолт
Үгүй	Эд зүйлс	Indium Antimonide Polycrystalline	Индиум антимонидын зорилтот
1	Дамжуулах чадвар	Хориогүй	Хориогүй
2	Тээвэрлэгчийн концентраци см^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Хөдөлгөөнт байдал см²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Хэмжээ	15-40х40-80 мм	D(50-80) мм
5	Савлах	Нийлмэл хөнгөн цагаан уутанд, гадна картон хайрцаг

Шугаман томъёо	InSb
Молекулын жин	236.58
Кристал бүтэц	Цайрын хольц
Гадаад төрх	Хар саарал металл талстууд
Хайлах цэг	527 ° C
Буцлах цэг	Үгүй
Нягт 300K	5.78 г/см³
Эрчим хүчний зөрүү	0.17 эВ
Дотоод эсэргүүцэл	4E(-3) Ом-см
CAS дугаар	1312-41-0
EC дугаар	215-192-3

Индиум антимонид InSbвафель нь дулааны дүрслэлийн дэвшилтэт шийдэл, FLIR систем, танхимын элемент ба соронзон эсэргүүцлийн эффектийн элемент, хэт улаан туяаны чиглүүлэгч пуужингийн чиглүүлэгч систем, өндөр мэдрэмжтэй хэт улаан туяаны фото илрүүлэгч мэдрэгч, өндөр зэрэглэлийн олон орчин үеийн эд анги, төхөөрөмжийг үйлдвэрлэхэд тохиромжтой субстрат юм. - нарийн соронзон ба эргэлтийн эсэргүүцлийн мэдрэгч, фокусын хавтгай массив, мөн терагерц цацрагийн эх үүсвэр болон хэт улаан одон орон судлалын сансрын дуран гэх мэт.