Галийн арсенид GaAs

Тодорхойлолт

Галийн арсенидGaAs нь 6N 7N-ээс багагүй өндөр цэвэршилттэй галли ба хүнцлийн элементээр нийлэгжүүлсэн III-V бүлгийн шууд зурвасын нийлмэл хагас дамжуулагч, өндөр цэвэршилттэй поликристал галлийн арсенидээс VGF эсвэл LEC процессоор ургуулсан талст, саарал өнгөтэй харагдах, цайрын хольцтой бүтэцтэй куб талст.Нүүрстөрөгч, цахиур, теллур эсвэл цайрыг допинг хийснээр n-хэлбэр эсвэл p-төрөл ба хагас тусгаарлагч дамжуулагчийг авахын тулд цилиндр хэлбэртэй InAs болорыг зүсэж, зүссэн, сийлсэн, өнгөлсөн эсвэл бүрээстэй хэлбэрээр зүсэж, үйлдвэрлэж болно. -MBE эсвэл MOCVD эпитаксиаль өсөлтөд бэлэн.Gallium Arsenide хавтанцар нь хэт улаан туяаны гэрэл ялгаруулах диод, лазер диод, оптик цонх, хээрийн эффект транзистор FET, шугаман дижитал IC, нарны зай зэрэг электрон төхөөрөмжүүдийг үйлдвэрлэхэд ашиглагддаг.GaAs бүрэлдэхүүн хэсгүүд нь хэт өндөр радио давтамж, хурдан электрон сэлгэн залгах, сул дохиог өсгөх програмуудад хэрэгтэй.Цаашилбал, Gallium Arsenide субстрат нь RF-ийн бүрэлдэхүүн хэсэг, богино долгионы давтамж, цул IC, мөн оптик холбоо, хяналтын системд LED төхөөрөмжүүдийг үйлдвэрлэхэд тохиромжтой материал бөгөөд түүний ханасан танхимын хөдөлгөөн, өндөр хүч, температурын тогтвортой байдал юм.

Хүргэлт

Western Minmetals (SC) корпорацын Gallium Arsenide GaAs-ийг 2" 3" 4" ба 6" (50мм, 75мм, 100мм, 150мм) диаметртэй, p-төрөл, n-төрөл эсвэл хагас тусгаарлагч дамжуулалттай, <111> эсвэл <100> чиглэлтэй.Тохируулсан техникийн үзүүлэлтүүд нь дэлхий даяарх манай үйлчлүүлэгчдэд зориулсан төгс шийдэл юм.

Одоо лавлана уу

Дэлгэрэнгүй мэдээлэл

Шошго

Техникийн тодорхойлолт

Галийн арсенид

GaAs

Галийн арсенид GaAsвафель нь хэт улаан туяаны гэрэл ялгаруулах диод, лазер диод, оптик цонх, хээрийн эффект транзистор FET, шугаман дижитал IC, нарны зай зэрэг электрон төхөөрөмжүүдийг үйлдвэрлэхэд ашиглагддаг.GaAs бүрэлдэхүүн хэсгүүд нь хэт өндөр радио давтамж, хурдан электрон сэлгэн залгах, сул дохиог өсгөх програмуудад хэрэгтэй.Цаашилбал, Gallium Arsenide субстрат нь RF-ийн бүрэлдэхүүн хэсэг, богино долгионы давтамж, цул IC, мөн оптик холбоо, хяналтын системд LED төхөөрөмжүүдийг үйлдвэрлэхэд тохиромжтой материал бөгөөд түүний ханасан танхимын хөдөлгөөн, өндөр хүч, температурын тогтвортой байдал юм.

Үгүй	Эд зүйлс	Стандарт тодорхойлолт
1	Хэмжээ	2"	3"	4"	6"
2	Диаметр мм	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	Өсөлтийн арга	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Дамжуулах чадварын төрөл	N-Type/Si эсвэл Te-нээвдүүлсэн, P-Type/Zn-нээвдүүлсэн, Хагас тусгаарлагч/Нэвчилтгүй
5	Баримтлал	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°
6	Зузаан мкм	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Баримтлал Хавтгай мм	17±1	22±1	32±1	Ховилын
8	Таних Хавтгай мм	7±1	12±1	18±1	-
9	Эсэргүүцэл Ω-см	(1-9)E(-3) p-төрлийн эсвэл n-төрлийн хувьд, (1-10)E8 хагас тусгаарлагчийн хувьд
10	Хөдөлгөөнт байдал см2/с	p-төрлийн хувьд 50-120, n-төрлийн хувьд (1-2.5)E3, хагас тусгаарлагчийн хувьд ≥4000
11	Тээвэрлэгчийн концентраци см-3	(5-50) p-төрлийн хувьд E18, n-төрлийн хувьд (0.8-4)E18
12	TTV μм хамгийн их	10	10	10	10
13	Нум μм хамгийн их	30	30	30	30
14	Буурах μм хамгийн их	30	30	30	30
15	EPD см-2	5000	5000	5000	5000
16	Гадаргуугийн өнгөлгөө	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Савлах	Хөнгөн цагааны нийлмэл уутанд битүүмжилсэн нэг өргүүртэй сав.
18	Тайлбар	Механик зэрэглэлийн GaAs өргүүрийг мөн хүсэлтээр авах боломжтой.

Шугаман томъёо	GaAs
Молекулын жин	144.64
Кристал бүтэц	Цайрын хольц
Гадаад төрх	Саарал талст хатуу
Хайлах цэг	1400°C, 2550°F
Буцлах цэг	Үгүй
Нягт 300K	5.32 г/см³
Эрчим хүчний зөрүү	1.424 эВ
Дотоод эсэргүүцэл	3.3E8 Ом-см
CAS дугаар	1303-00-0
EC дугаар	215-114-8

Галийн арсенид GaAsWestern Minmetals (SC) корпорацын хувьд 2” 3” 4” ба 6” (50мм, 75мм, 100мм) хэмжээтэй зүссэн, сийлсэн, өнгөлсөн, эсвэл эпи-бэлэн хавтан хэлбэрээр олон талст бөөн юм уу дан болор хавтан хэлбэрээр нийлүүлэх боломжтой. , 150мм) диаметртэй, p-төрөл, n-төрөл эсвэл хагас тусгаарлагч дамжуулалттай, <111> эсвэл <100> чиглэлтэй.Тохируулсан техникийн үзүүлэлтүүд нь дэлхий даяарх манай үйлчлүүлэгчдэд зориулсан төгс шийдэл юм.